科豐國際有限公司MAST Technology Corp.

　

          

　

　

　

　

　

　

 

　

　

　

　

　

　

　

　

　

我們除可供應一般低阻的SiC wafer碳化矽晶片外，我們也可供應 6H-SiC wafer與 4H-SiC wafer半絕緣晶片(6H-SiC and 4H-SiC Semi-insulating SiC wafer)，請與我們聯繫。

碳化矽基板 Silicon Carbide Substrate

Parameters of Semi-insulating SiC Single Crystal Wafer

Diameter

2" ; 3"

Polytype

6H

Resistivity

＞ 105 Ωcm

Micropipes

< 50 /cm2

Thickness

350 um ± 50 um

Surface Finish

Si side

TTV

< 40 um

Warp

< 25 um

Surface coarseness

< 0.5 um

Usable area

＞ 80%

l       Other orientation, thickness, or other parameters available upon request.

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