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碳化矽簡介

碳化矽晶體被前蘇聯科學家在隕石上發現，它在地球上只能通過人工合成的方式來獲取。與矽和砷化鎵為代表的傳統半導體材料相比，碳化矽具有寬帶隙、高熱導率、高擊穿場強等特徵。碳化矽作為目前發展最成熟的寬帶隙半導體材料，其優異的性能可以滿足現代電子器件對高溫、高頻、高壓以及抗輻射的新要求，可廣泛應用於航太探測、核能探測及汽車發動機、LED固體照明和高頻率器件等高科技領域。